SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
作者:标准资料网 时间:2024-05-09 01:43:14 浏览:8272
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基本信息
| 标准名称： | 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则 |
| 英文名称： | General rule of infrared absorption spectral analysis for the impurity concentration in semiconductor materials |
| 中标分类： | |
| 发布部门： | 中华人民共和国信息产业部 |
| 发布日期： | 1999-11-10 |
| 实施日期： | 1999-12-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 归口单位： | 中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： | 电子工业部第四十六研究所 |
| 起草人： | 何秀坤、汝秀坤、李光平、李静 |
| 出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版日期： | 1999-11-01 |
| 页数： | 5页 |
适用范围
本标准规定了半导体材料中杂质含量的红外吸收分析方法的术语、基本原理、仪器设备、样口制备、测量条件、测量步骤和测量结果的计算。本标准适用于在红外光谱区为透明的并在该区域产生杂质吸收带的任何半导体单晶材料红外分析方法。
前言
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目录
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引用标准
GB 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
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